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晶体结构

 

名词解释

 

多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另

一种变体的现象?/p>

 

同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力?/p>

pH

值等),结晶成为两种以上不同?/p>

构晶体的现象?/p>

 

位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来

位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式?/p>

 

重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一?/p>

多晶转变形式?/p>

 

 

1.2

晶格能与哪些因素有关?/p>

 

答:离子的电子结构;离子的晶体结构类型;正负离子平衡距离?/p>

 

1.3 

鲍林规则

 

?/p>

1

)配位数规则:晶体结构中,阳离子周围形成一个阴离子配位多面体,阳离子的配位数取决于

阳离子和阴离子半径之比。根据不同的配位数,从几何关系可以计算出阴阳离子半径比的上、下

限范围。因而,可根?/p>

r+/r-

值求得阳离子的配位数?/p>

 

?/p>

2

?/p>

静电价规则:

在稳定的离子晶体结构中,

所有相连接的阳离子到达一个阴离子的静电建强度?/p>

等于阴离子的电荷数。设

S

为中心阳离子到达每一配位阴离子的静电建强度,

Z

为该阳离子的?/p>

荷数?/p>

n

为阳离子配位数,则可?/p>

S=Z/n

。又?/p>

W

为阴离子电荷数,

m

为阴离子配位数,则静?/p>

价规则规?/p>

m

·

S=W

。静电键规则是离子晶体中较严格的规则,它使晶体保持总的电性平衡。本

规则还可用于求得阴离子的配位数?/p>

 

?/p>

3

)配位多面体连接方式规则:在离子晶体中,阴离子配位多面体以共棱,特别是共面的方式?/p>

在时,结构的稳定性下降。对于电价高,配位数小的阳离子,此规则的效应更为显著。硅酸盐?/p>

构中,硅氧四面体的连接方式即为一例?/p>

 

 

 

 

?/p>

1

?/p>

 

?/p>

NaCl

晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量?/p>

 

答:?/p>

NaCl

晶胞中(

001

)面心的一个球?/p>

Cl-

离子)为例,它的正下方有

1

个八面体空隙(体?/p>

位置),与其对称,正上方也有

1

个八面体空隙;前后左右各?/p>

1

个八面体空隙(棱心位置)?/p>

所以共?/p>

6

个八面体空隙与其直接相邻,由于每个八面体空隙?/p>

6

个球构成,所以属于这个球?/p>

八面体空隙数?/p>

6×

1/6=1

?/p>

 

在这个晶胞中?/p>

这个球还与另?/p>

2

个面心?/p>

1

个顶角上的球构成

4

个四面体空隙

(即

1/8

小立方体

的体心位置);由于对称性,在上面的晶胞中,也有

4

个四面体空隙由这个参与构成。所以共?/p>

8

个四面体空隙与其直接相邻,由于每个四面体空隙?/p>

4

个球构成,所以属于这个球的四面体?/p>

隙数?/p>

8×

1/4=2

?/p>

 

 

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2

下列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?/p>

(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位臵?/p>

?/p>

 

?/p>

列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位置):

 

 

 

CaMg[Si2O6] 

 

 

Ca2Al[AlSiO7] 

 

 

Mg[Si4O10](OH)2 

 

 

 

K[AlSi3O8] 

 

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晶体结构

 

名词解释

 

多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另

一种变体的现象?/p>

 

同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力?/p>

pH

值等),结晶成为两种以上不同?/p>

构晶体的现象?/p>

 

位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来

位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式?/p>

 

重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一?/p>

多晶转变形式?/p>

 

 

1.2

晶格能与哪些因素有关?/p>

 

答:离子的电子结构;离子的晶体结构类型;正负离子平衡距离?/p>

 

1.3 

鲍林规则

 

?/p>

1

)配位数规则:晶体结构中,阳离子周围形成一个阴离子配位多面体,阳离子的配位数取决于

阳离子和阴离子半径之比。根据不同的配位数,从几何关系可以计算出阴阳离子半径比的上、下

限范围。因而,可根?/p>

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值求得阳离子的配位数?/p>

 

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2

?/p>

静电价规则:

在稳定的离子晶体结构中,

所有相连接的阳离子到达一个阴离子的静电建强度?/p>

等于阴离子的电荷数。设

S

为中心阳离子到达每一配位阴离子的静电建强度,

Z

为该阳离子的?/p>

荷数?/p>

n

为阳离子配位数,则可?/p>

S=Z/n

。又?/p>

W

为阴离子电荷数,

m

为阴离子配位数,则静?/p>

价规则规?/p>

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。静电键规则是离子晶体中较严格的规则,它使晶体保持总的电性平衡。本

规则还可用于求得阴离子的配位数?/p>

 

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3

)配位多面体连接方式规则:在离子晶体中,阴离子配位多面体以共棱,特别是共面的方式?/p>

在时,结构的稳定性下降。对于电价高,配位数小的阳离子,此规则的效应更为显著。硅酸盐?/p>

构中,硅氧四面体的连接方式即为一例?/p>

 

 

 

 

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1

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NaCl

晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量?/p>

 

答:?/p>

NaCl

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)面心的一个球?/p>

Cl-

离子)为例,它的正下方有

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个八面体空隙(体?/p>

位置),与其对称,正上方也有

1

个八面体空隙;前后左右各?/p>

1

个八面体空隙(棱心位置)?/p>

所以共?/p>

6

个八面体空隙与其直接相邻,由于每个八面体空隙?/p>

6

个球构成,所以属于这个球?/p>

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在这个晶胞中?/p>

这个球还与另?/p>

2

个面心?/p>

1

个顶角上的球构成

4

个四面体空隙

(即

1/8

小立方体

的体心位置);由于对称性,在上面的晶胞中,也有

4

个四面体空隙由这个参与构成。所以共?/p>

8

个四面体空隙与其直接相邻,由于每个四面体空隙?/p>

4

个球构成,所以属于这个球的四面体?/p>

隙数?/p>

8×

1/4=2

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2

下列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?/p>

(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位臵?/p>

?/p>

 

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列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位置):

 

 

 

CaMg[Si2O6] 

 

 

Ca2Al[AlSiO7] 

 

 

Mg[Si4O10](OH)2 

 

 

 

K[AlSi3O8] 

 

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晶体结构

 

名词解释

 

多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另

一种变体的现象?/p>

 

同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力?/p>

pH

值等),结晶成为两种以上不同?/p>

构晶体的现象?/p>

 

位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来

位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式?/p>

 

重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一?/p>

多晶转变形式?/p>

 

 

1.2

晶格能与哪些因素有关?/p>

 

答:离子的电子结构;离子的晶体结构类型;正负离子平衡距离?/p>

 

1.3 

鲍林规则

 

?/p>

1

)配位数规则:晶体结构中,阳离子周围形成一个阴离子配位多面体,阳离子的配位数取决于

阳离子和阴离子半径之比。根据不同的配位数,从几何关系可以计算出阴阳离子半径比的上、下

限范围。因而,可根?/p>

r+/r-

值求得阳离子的配位数?/p>

 

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2

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静电价规则:

在稳定的离子晶体结构中,

所有相连接的阳离子到达一个阴离子的静电建强度?/p>

等于阴离子的电荷数。设

S

为中心阳离子到达每一配位阴离子的静电建强度,

Z

为该阳离子的?/p>

荷数?/p>

n

为阳离子配位数,则可?/p>

S=Z/n

。又?/p>

W

为阴离子电荷数,

m

为阴离子配位数,则静?/p>

价规则规?/p>

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·

S=W

。静电键规则是离子晶体中较严格的规则,它使晶体保持总的电性平衡。本

规则还可用于求得阴离子的配位数?/p>

 

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3

)配位多面体连接方式规则:在离子晶体中,阴离子配位多面体以共棱,特别是共面的方式?/p>

在时,结构的稳定性下降。对于电价高,配位数小的阳离子,此规则的效应更为显著。硅酸盐?/p>

构中,硅氧四面体的连接方式即为一例?/p>

 

 

 

 

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1

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NaCl

晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量?/p>

 

答:?/p>

NaCl

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001

)面心的一个球?/p>

Cl-

离子)为例,它的正下方有

1

个八面体空隙(体?/p>

位置),与其对称,正上方也有

1

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1

个八面体空隙(棱心位置)?/p>

所以共?/p>

6

个八面体空隙与其直接相邻,由于每个八面体空隙?/p>

6

个球构成,所以属于这个球?/p>

八面体空隙数?/p>

6×

1/6=1

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在这个晶胞中?/p>

这个球还与另?/p>

2

个面心?/p>

1

个顶角上的球构成

4

个四面体空隙

(即

1/8

小立方体

的体心位置);由于对称性,在上面的晶胞中,也有

4

个四面体空隙由这个参与构成。所以共?/p>

8

个四面体空隙与其直接相邻,由于每个四面体空隙?/p>

4

个球构成,所以属于这个球的四面体?/p>

隙数?/p>

8×

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2

下列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?/p>

(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位臵?/p>

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列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?(有

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离子的要说明其在结构中所处的位置):

 

 

 

CaMg[Si2O6] 

 

 

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无机材料物理化学考试?- 百度文库
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晶体结构

 

名词解释

 

多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另

一种变体的现象?/p>

 

同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力?/p>

pH

值等),结晶成为两种以上不同?/p>

构晶体的现象?/p>

 

位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来

位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式?/p>

 

重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一?/p>

多晶转变形式?/p>

 

 

1.2

晶格能与哪些因素有关?/p>

 

答:离子的电子结构;离子的晶体结构类型;正负离子平衡距离?/p>

 

1.3 

鲍林规则

 

?/p>

1

)配位数规则:晶体结构中,阳离子周围形成一个阴离子配位多面体,阳离子的配位数取决于

阳离子和阴离子半径之比。根据不同的配位数,从几何关系可以计算出阴阳离子半径比的上、下

限范围。因而,可根?/p>

r+/r-

值求得阳离子的配位数?/p>

 

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2

?/p>

静电价规则:

在稳定的离子晶体结构中,

所有相连接的阳离子到达一个阴离子的静电建强度?/p>

等于阴离子的电荷数。设

S

为中心阳离子到达每一配位阴离子的静电建强度,

Z

为该阳离子的?/p>

荷数?/p>

n

为阳离子配位数,则可?/p>

S=Z/n

。又?/p>

W

为阴离子电荷数,

m

为阴离子配位数,则静?/p>

价规则规?/p>

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·

S=W

。静电键规则是离子晶体中较严格的规则,它使晶体保持总的电性平衡。本

规则还可用于求得阴离子的配位数?/p>

 

?/p>

3

)配位多面体连接方式规则:在离子晶体中,阴离子配位多面体以共棱,特别是共面的方式?/p>

在时,结构的稳定性下降。对于电价高,配位数小的阳离子,此规则的效应更为显著。硅酸盐?/p>

构中,硅氧四面体的连接方式即为一例?/p>

 

 

 

 

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1

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?/p>

NaCl

晶胞为例,试说明面心立方紧密堆积中的八面体和四面体空隙的位置和数量?/p>

 

答:?/p>

NaCl

晶胞中(

001

)面心的一个球?/p>

Cl-

离子)为例,它的正下方有

1

个八面体空隙(体?/p>

位置),与其对称,正上方也有

1

个八面体空隙;前后左右各?/p>

1

个八面体空隙(棱心位置)?/p>

所以共?/p>

6

个八面体空隙与其直接相邻,由于每个八面体空隙?/p>

6

个球构成,所以属于这个球?/p>

八面体空隙数?/p>

6×

1/6=1

?/p>

 

在这个晶胞中?/p>

这个球还与另?/p>

2

个面心?/p>

1

个顶角上的球构成

4

个四面体空隙

(即

1/8

小立方体

的体心位置);由于对称性,在上面的晶胞中,也有

4

个四面体空隙由这个参与构成。所以共?/p>

8

个四面体空隙与其直接相邻,由于每个四面体空隙?/p>

4

个球构成,所以属于这个球的四面体?/p>

隙数?/p>

8×

1/4=2

?/p>

 

 

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2

下列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?/p>

(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位臵?/p>

?/p>

 

?/p>

列硅酸盐矿结构各属何种结构类型?(有

Al3+

离子的要说明其在结构中所处的位置):

 

 

 

CaMg[Si2O6] 

 

 

Ca2Al[AlSiO7] 

 

 

Mg[Si4O10](OH)2 

 

 

 

K[AlSi3O8] 

 



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