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1.
何谓
PIE? PIE
的主要工作是什?/p>
?
答:
Process Integration
Engineer(
工艺整合工程?/p>
),
主要工作是整
合各部门的资?/p>
,
对工艺持续进行改?/p>
,
确保产品的良率(
yield
)稳定良好?/p>
2. 200mm
?/p>
300mm Wafer
代表何意?/p>
?
答:
8
吋硅?/p>
(wafer)
直径?/p>
200mm ,
直径?/p>
300mm
硅片?/p>
12
?/p>
.
3.
目前中芯国际现有的三个工厂采用多?/p>
mm
的硅?/p>
(wafer)
工艺?未来北?/p>
?/p>
Fab4(
四厂
)
采用多少
mm
?/p>
wafer
工艺?/p>
答:当前
1~3
厂为
200mm(8
英寸
)
?/p>
wafer,
工艺水平已达
0.13um
工艺?/p>
未来北京厂工?/p>
wafer
将使?/p>
300mm(12
英寸
)
?/p>
4.
我们为何需?/p>
300mm?
答:
wafer size
变大,单一
wafer
上的芯片?/p>
(chip)
变多,单位成?/p>
降低
200
?/p>
300
面积增加
2.25
?/p>
,
芯片数目约增?/p>
2.5
?/p>
5.
所谓的
0.13 um
的工艺能?/p>
(technology)
代表的是什幺意义?
答:是指工厂的工艺能力可以达?/p>
0.13 um
的栅极线宽。当栅极的线?/p>
做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快?/p>
6.
?/p>
0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um
?/p>
technology
改变又代表的?/p>
什幺意义?
答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低?/p>
做的越小
时,工艺的难度便相对提高。从
0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um ->
0.13um
代表着每一个阶段工艺能力的提升?/p>
7.
一般的硅片
(wafer)
基材
(substrate)
可区分为
N,P
两种类型?/p>
type
?/p>
,
何谓
N, P-type
wafer?
答:
N-type wafer
是指掺杂
negative
As)
的硅?/p>
, P-type
?/p>
wafer
是指掺杂
positive
B
?/p>
In)
的硅片?/p>
元素
(5
价电荷元素,例如?/p>
P
?/p>
元素
(3
价电荷元?/p>
,
例如?/p>
8.
工厂中硅片(
wafer
)的制造过程可分哪几个工艺过程
(module)
?/p>
答:主要有四个部分:
DIFF
(扩散)?/p>
TF(
薄膜
)
?/p>
PHOTO
(光刻)?/p>
ETCH
(刻蚀)。其?/p>
DIFF
又包?/p>
FURNACE(
炉管
)
?/p>
WET(
湿刻
)
?/p>
IMP(
离子
?/p>
?/p>
)
?/p>
RTP(
快速热处理
)
?/p>
TF
包括
PVD(
物理气相淀?/p>
)
?/p>
CVD(
化学气相淀?/p>
)
?/p>
CMP(
?
学机械研?/p>
)
。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过?/p>
?/p>
module
)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好?/p>
9.
一般硅片的制造常以几
P
?/p>
M
及光罩层?/p>
(mask layer)
来代表硅片工艺的?/p>
间长短,请问?/p>
P
?/p>
M
及光罩层?/p>
(mask layer)
代表什幺意义?
答:?/p>
P
?/p>
M
代表硅片的制造有几层?/p>
Poly(
多晶?/p>
)
和几层的
metal(
?/p>
属导?/p>
).
一?/p>
0.15um
的逻辑产品?/p>
1P6M( 1
层的
Poly
?/p>
6
层的
metal)
。?/p>
光罩层数?/p>
mask layer
)代表硅片的制造必需经过几次?/p>
PHOTO
(光刻)
.
10. Wafer
下线的第一道步骤是形成
start oxide
?/p>
zero layer?
其中
start
oxide
的目的是为何?/p>
答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触
Si
表面?/p>
②在
laser
刻号过程?/p>
,
亦可避免被产生的粉尘污染?/p>