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1.

 

何谓

 PIE? PIE  

的主要工作是什?/p>

 ? 

 

答:

 Process Integration 

Engineer( 

工艺整合工程?/p>

 ), 

主要工作是整

 

 

合各部门的资?/p>

 , 

对工艺持续进行改?/p>

  , 

确保产品的良率(

 yield  

)稳定良好?/p>

 

 

2. 200mm 

?/p>

 300mm Wafer 

代表何意?/p>

 ? 

 

答:

 8 

吋硅?/p>

 (wafer)  

直径?/p>

 200mm , 

直径?/p>

 300mm

硅片?/p>

 12 

?/p>

. 

 

3. 

目前中芯国际现有的三个工厂采用多?/p>

 

mm

的硅?/p>

 (wafer) 

工艺?未来北?/p>

 

 

?/p>

 Fab4(

四厂

 ) 

采用多少

 mm

?/p>

 wafer 

工艺?/p>

 

 

答:当前

 1~3 

厂为

 200mm(8

英寸

 ) 

?/p>

 wafer, 

工艺水平已达

  0.13um 

工艺?/p>

 

 

未来北京厂工?/p>

 

wafer 

将使?/p>

 300mm(12

英寸

 ) 

?/p>

 

 

4. 

我们为何需?/p>

  300mm? 

 

答:

 wafer size 

变大,单一

  wafer 

上的芯片?/p>

 (chip)  

变多,单位成?/p>

 

 

降低

 

 

200

 

?/p>

300 

面积增加

 2.25 

?/p>

 , 

芯片数目约增?/p>

  2.5 

?/p>

 

 

 

 

 

5.

 

所谓的

 0.13 um  

的工艺能?/p>

 (technology)  

代表的是什幺意义?

 

 

答:是指工厂的工艺能力可以达?/p>

   0.13 um

的栅极线宽。当栅极的线?/p>

 

 

做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快?/p>

 

 

6.

 

?/p>

 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 

?/p>

 technology 

改变又代表的?/p>

什幺意义?

 

 

答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低?/p>

 

做的越小

 

 

时,工艺的难度便相对提高。从

 0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 

0.13um 

代表着每一个阶段工艺能力的提升?/p>

 

 

7. 

一般的硅片

 (wafer) 

基材

 (substrate) 

可区分为

 N,P 

两种类型?/p>

type 

?/p>

,

何谓

 N, P-type 

wafer? 

 

答:

 N-type  wafer  

是指掺杂

 negative 

 

As) 

的硅?/p>

 , P-type 

?/p>

 wafer 

是指掺杂

 positive 

 

B

?/p>

In) 

的硅片?/p>

 

 

元素

 (5 

价电荷元素,例如?/p>

  P

?/p>

 

 

元素

 (3 

价电荷元?/p>

 , 

例如?/p>

 

 

 

 

 

8. 

工厂中硅片(

 wafer 

)的制造过程可分哪几个工艺过程

 

(module) 

?/p>

 

 

答:主要有四个部分:

 DIFF

(扩散)?/p>

TF(

薄膜

 ) 

?/p>

PHOTO

(光刻)?/p>

ETCH 

 

(刻蚀)。其?/p>

 DIFF 

又包?/p>

 FURNACE(

炉管

 ) 

?/p>

WET(

湿刻

 ) 

?/p>

IMP(

离子

 

?/p>

 

 

?/p>

 

) 

?/p>

 RTP(

快速热处理

 ) 

?/p>

 TF 

包括

 PVD(

物理气相淀?/p>

 ) 

?/p>

 CVD(

化学气相淀?/p>

 ) 

?/p>

CMP(

?

学机械研?/p>

 ) 

。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过?/p>

 

 

?/p>

 module

)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好?/p>

 

 

9.

 

一般硅片的制造常以几

  P 

?/p>

 M 

及光罩层?/p>

 (mask layer)  

来代表硅片工艺的?/p>

 

 

间长短,请问?/p>

 

P 

?/p>

 M

及光罩层?/p>

 (mask layer) 

代表什幺意义?

 

 

答:?/p>

 P

?/p>

 M

代表硅片的制造有几层?/p>

 

Poly( 

多晶?/p>

 ) 

和几层的

 metal( 

?/p>

 

 

属导?/p>

 ). 

一?/p>

 0.15um 

的逻辑产品?/p>

  1P6M( 1 

层的

 Poly 

?/p>

 6 

层的

 metal) 

。?/p>

 

 

光罩层数?/p>

 mask layer 

)代表硅片的制造必需经过几次?/p>

 

PHOTO

(光刻)

 . 

 

10. Wafer 

下线的第一道步骤是形成

 

start oxide 

?/p>

 zero layer? 

其中

 start 

 

oxide 

 

 

的目的是为何?/p>

 

 

答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触

 

Si  

表面?/p>

 

 

②在

 laser 

刻号过程?/p>

 , 

亦可避免被产生的粉尘污染?/p>

 

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1.

 

何谓

 PIE? PIE  

的主要工作是什?/p>

 ? 

 

答:

 Process Integration 

Engineer( 

工艺整合工程?/p>

 ), 

主要工作是整

 

 

合各部门的资?/p>

 , 

对工艺持续进行改?/p>

  , 

确保产品的良率(

 yield  

)稳定良好?/p>

 

 

2. 200mm 

?/p>

 300mm Wafer 

代表何意?/p>

 ? 

 

答:

 8 

吋硅?/p>

 (wafer)  

直径?/p>

 200mm , 

直径?/p>

 300mm

硅片?/p>

 12 

?/p>

. 

 

3. 

目前中芯国际现有的三个工厂采用多?/p>

 

mm

的硅?/p>

 (wafer) 

工艺?未来北?/p>

 

 

?/p>

 Fab4(

四厂

 ) 

采用多少

 mm

?/p>

 wafer 

工艺?/p>

 

 

答:当前

 1~3 

厂为

 200mm(8

英寸

 ) 

?/p>

 wafer, 

工艺水平已达

  0.13um 

工艺?/p>

 

 

未来北京厂工?/p>

 

wafer 

将使?/p>

 300mm(12

英寸

 ) 

?/p>

 

 

4. 

我们为何需?/p>

  300mm? 

 

答:

 wafer size 

变大,单一

  wafer 

上的芯片?/p>

 (chip)  

变多,单位成?/p>

 

 

降低

 

 

200

 

?/p>

300 

面积增加

 2.25 

?/p>

 , 

芯片数目约增?/p>

  2.5 

?/p>

 

 

 

 

 

5.

 

所谓的

 0.13 um  

的工艺能?/p>

 (technology)  

代表的是什幺意义?

 

 

答:是指工厂的工艺能力可以达?/p>

   0.13 um

的栅极线宽。当栅极的线?/p>

 

 

做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快?/p>

 

 

6.

 

?/p>

 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 

?/p>

 technology 

改变又代表的?/p>

什幺意义?

 

 

答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低?/p>

 

做的越小

 

 

时,工艺的难度便相对提高。从

 0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 

0.13um 

代表着每一个阶段工艺能力的提升?/p>

 

 

7. 

一般的硅片

 (wafer) 

基材

 (substrate) 

可区分为

 N,P 

两种类型?/p>

type 

?/p>

,

何谓

 N, P-type 

wafer? 

 

答:

 N-type  wafer  

是指掺杂

 negative 

 

As) 

的硅?/p>

 , P-type 

?/p>

 wafer 

是指掺杂

 positive 

 

B

?/p>

In) 

的硅片?/p>

 

 

元素

 (5 

价电荷元素,例如?/p>

  P

?/p>

 

 

元素

 (3 

价电荷元?/p>

 , 

例如?/p>

 

 

 

 

 

8. 

工厂中硅片(

 wafer 

)的制造过程可分哪几个工艺过程

 

(module) 

?/p>

 

 

答:主要有四个部分:

 DIFF

(扩散)?/p>

TF(

薄膜

 ) 

?/p>

PHOTO

(光刻)?/p>

ETCH 

 

(刻蚀)。其?/p>

 DIFF 

又包?/p>

 FURNACE(

炉管

 ) 

?/p>

WET(

湿刻

 ) 

?/p>

IMP(

离子

 

?/p>

 

 

?/p>

 

) 

?/p>

 RTP(

快速热处理

 ) 

?/p>

 TF 

包括

 PVD(

物理气相淀?/p>

 ) 

?/p>

 CVD(

化学气相淀?/p>

 ) 

?/p>

CMP(

?

学机械研?/p>

 ) 

。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过?/p>

 

 

?/p>

 module

)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好?/p>

 

 

9.

 

一般硅片的制造常以几

  P 

?/p>

 M 

及光罩层?/p>

 (mask layer)  

来代表硅片工艺的?/p>

 

 

间长短,请问?/p>

 

P 

?/p>

 M

及光罩层?/p>

 (mask layer) 

代表什幺意义?

 

 

答:?/p>

 P

?/p>

 M

代表硅片的制造有几层?/p>

 

Poly( 

多晶?/p>

 ) 

和几层的

 metal( 

?/p>

 

 

属导?/p>

 ). 

一?/p>

 0.15um 

的逻辑产品?/p>

  1P6M( 1 

层的

 Poly 

?/p>

 6 

层的

 metal) 

。?/p>

 

 

光罩层数?/p>

 mask layer 

)代表硅片的制造必需经过几次?/p>

 

PHOTO

(光刻)

 . 

 

10. Wafer 

下线的第一道步骤是形成

 

start oxide 

?/p>

 zero layer? 

其中

 start 

 

oxide 

 

 

的目的是为何?/p>

 

 

答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触

 

Si  

表面?/p>

 

 

②在

 laser 

刻号过程?/p>

 , 

亦可避免被产生的粉尘污染?/p>

 

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1.

 

何谓

 PIE? PIE  

的主要工作是什?/p>

 ? 

 

答:

 Process Integration 

Engineer( 

工艺整合工程?/p>

 ), 

主要工作是整

 

 

合各部门的资?/p>

 , 

对工艺持续进行改?/p>

  , 

确保产品的良率(

 yield  

)稳定良好?/p>

 

 

2. 200mm 

?/p>

 300mm Wafer 

代表何意?/p>

 ? 

 

答:

 8 

吋硅?/p>

 (wafer)  

直径?/p>

 200mm , 

直径?/p>

 300mm

硅片?/p>

 12 

?/p>

. 

 

3. 

目前中芯国际现有的三个工厂采用多?/p>

 

mm

的硅?/p>

 (wafer) 

工艺?未来北?/p>

 

 

?/p>

 Fab4(

四厂

 ) 

采用多少

 mm

?/p>

 wafer 

工艺?/p>

 

 

答:当前

 1~3 

厂为

 200mm(8

英寸

 ) 

?/p>

 wafer, 

工艺水平已达

  0.13um 

工艺?/p>

 

 

未来北京厂工?/p>

 

wafer 

将使?/p>

 300mm(12

英寸

 ) 

?/p>

 

 

4. 

我们为何需?/p>

  300mm? 

 

答:

 wafer size 

变大,单一

  wafer 

上的芯片?/p>

 (chip)  

变多,单位成?/p>

 

 

降低

 

 

200

 

?/p>

300 

面积增加

 2.25 

?/p>

 , 

芯片数目约增?/p>

  2.5 

?/p>

 

 

 

 

 

5.

 

所谓的

 0.13 um  

的工艺能?/p>

 (technology)  

代表的是什幺意义?

 

 

答:是指工厂的工艺能力可以达?/p>

   0.13 um

的栅极线宽。当栅极的线?/p>

 

 

做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快?/p>

 

 

6.

 

?/p>

 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 

?/p>

 technology 

改变又代表的?/p>

什幺意义?

 

 

答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低?/p>

 

做的越小

 

 

时,工艺的难度便相对提高。从

 0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 

0.13um 

代表着每一个阶段工艺能力的提升?/p>

 

 

7. 

一般的硅片

 (wafer) 

基材

 (substrate) 

可区分为

 N,P 

两种类型?/p>

type 

?/p>

,

何谓

 N, P-type 

wafer? 

 

答:

 N-type  wafer  

是指掺杂

 negative 

 

As) 

的硅?/p>

 , P-type 

?/p>

 wafer 

是指掺杂

 positive 

 

B

?/p>

In) 

的硅片?/p>

 

 

元素

 (5 

价电荷元素,例如?/p>

  P

?/p>

 

 

元素

 (3 

价电荷元?/p>

 , 

例如?/p>

 

 

 

 

 

8. 

工厂中硅片(

 wafer 

)的制造过程可分哪几个工艺过程

 

(module) 

?/p>

 

 

答:主要有四个部分:

 DIFF

(扩散)?/p>

TF(

薄膜

 ) 

?/p>

PHOTO

(光刻)?/p>

ETCH 

 

(刻蚀)。其?/p>

 DIFF 

又包?/p>

 FURNACE(

炉管

 ) 

?/p>

WET(

湿刻

 ) 

?/p>

IMP(

离子

 

?/p>

 

 

?/p>

 

) 

?/p>

 RTP(

快速热处理

 ) 

?/p>

 TF 

包括

 PVD(

物理气相淀?/p>

 ) 

?/p>

 CVD(

化学气相淀?/p>

 ) 

?/p>

CMP(

?

学机械研?/p>

 ) 

。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过?/p>

 

 

?/p>

 module

)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好?/p>

 

 

9.

 

一般硅片的制造常以几

  P 

?/p>

 M 

及光罩层?/p>

 (mask layer)  

来代表硅片工艺的?/p>

 

 

间长短,请问?/p>

 

P 

?/p>

 M

及光罩层?/p>

 (mask layer) 

代表什幺意义?

 

 

答:?/p>

 P

?/p>

 M

代表硅片的制造有几层?/p>

 

Poly( 

多晶?/p>

 ) 

和几层的

 metal( 

?/p>

 

 

属导?/p>

 ). 

一?/p>

 0.15um 

的逻辑产品?/p>

  1P6M( 1 

层的

 Poly 

?/p>

 6 

层的

 metal) 

。?/p>

 

 

光罩层数?/p>

 mask layer 

)代表硅片的制造必需经过几次?/p>

 

PHOTO

(光刻)

 . 

 

10. Wafer 

下线的第一道步骤是形成

 

start oxide 

?/p>

 zero layer? 

其中

 start 

 

oxide 

 

 

的目的是为何?/p>

 

 

答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触

 

Si  

表面?/p>

 

 

②在

 laser 

刻号过程?/p>

 , 

亦可避免被产生的粉尘污染?/p>

 

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1.

 

何谓

 PIE? PIE  

的主要工作是什?/p>

 ? 

 

答:

 Process Integration 

Engineer( 

工艺整合工程?/p>

 ), 

主要工作是整

 

 

合各部门的资?/p>

 , 

对工艺持续进行改?/p>

  , 

确保产品的良率(

 yield  

)稳定良好?/p>

 

 

2. 200mm 

?/p>

 300mm Wafer 

代表何意?/p>

 ? 

 

答:

 8 

吋硅?/p>

 (wafer)  

直径?/p>

 200mm , 

直径?/p>

 300mm

硅片?/p>

 12 

?/p>

. 

 

3. 

目前中芯国际现有的三个工厂采用多?/p>

 

mm

的硅?/p>

 (wafer) 

工艺?未来北?/p>

 

 

?/p>

 Fab4(

四厂

 ) 

采用多少

 mm

?/p>

 wafer 

工艺?/p>

 

 

答:当前

 1~3 

厂为

 200mm(8

英寸

 ) 

?/p>

 wafer, 

工艺水平已达

  0.13um 

工艺?/p>

 

 

未来北京厂工?/p>

 

wafer 

将使?/p>

 300mm(12

英寸

 ) 

?/p>

 

 

4. 

我们为何需?/p>

  300mm? 

 

答:

 wafer size 

变大,单一

  wafer 

上的芯片?/p>

 (chip)  

变多,单位成?/p>

 

 

降低

 

 

200

 

?/p>

300 

面积增加

 2.25 

?/p>

 , 

芯片数目约增?/p>

  2.5 

?/p>

 

 

 

 

 

5.

 

所谓的

 0.13 um  

的工艺能?/p>

 (technology)  

代表的是什幺意义?

 

 

答:是指工厂的工艺能力可以达?/p>

   0.13 um

的栅极线宽。当栅极的线?/p>

 

 

做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快?/p>

 

 

6.

 

?/p>

 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 

?/p>

 technology 

改变又代表的?/p>

什幺意义?

 

 

答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低?/p>

 

做的越小

 

 

时,工艺的难度便相对提高。从

 0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 

0.13um 

代表着每一个阶段工艺能力的提升?/p>

 

 

7. 

一般的硅片

 (wafer) 

基材

 (substrate) 

可区分为

 N,P 

两种类型?/p>

type 

?/p>

,

何谓

 N, P-type 

wafer? 

 

答:

 N-type  wafer  

是指掺杂

 negative 

 

As) 

的硅?/p>

 , P-type 

?/p>

 wafer 

是指掺杂

 positive 

 

B

?/p>

In) 

的硅片?/p>

 

 

元素

 (5 

价电荷元素,例如?/p>

  P

?/p>

 

 

元素

 (3 

价电荷元?/p>

 , 

例如?/p>

 

 

 

 

 

8. 

工厂中硅片(

 wafer 

)的制造过程可分哪几个工艺过程

 

(module) 

?/p>

 

 

答:主要有四个部分:

 DIFF

(扩散)?/p>

TF(

薄膜

 ) 

?/p>

PHOTO

(光刻)?/p>

ETCH 

 

(刻蚀)。其?/p>

 DIFF 

又包?/p>

 FURNACE(

炉管

 ) 

?/p>

WET(

湿刻

 ) 

?/p>

IMP(

离子

 

?/p>

 

 

?/p>

 

) 

?/p>

 RTP(

快速热处理

 ) 

?/p>

 TF 

包括

 PVD(

物理气相淀?/p>

 ) 

?/p>

 CVD(

化学气相淀?/p>

 ) 

?/p>

CMP(

?

学机械研?/p>

 ) 

。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过?/p>

 

 

?/p>

 module

)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好?/p>

 

 

9.

 

一般硅片的制造常以几

  P 

?/p>

 M 

及光罩层?/p>

 (mask layer)  

来代表硅片工艺的?/p>

 

 

间长短,请问?/p>

 

P 

?/p>

 M

及光罩层?/p>

 (mask layer) 

代表什幺意义?

 

 

答:?/p>

 P

?/p>

 M

代表硅片的制造有几层?/p>

 

Poly( 

多晶?/p>

 ) 

和几层的

 metal( 

?/p>

 

 

属导?/p>

 ). 

一?/p>

 0.15um 

的逻辑产品?/p>

  1P6M( 1 

层的

 Poly 

?/p>

 6 

层的

 metal) 

。?/p>

 

 

光罩层数?/p>

 mask layer 

)代表硅片的制造必需经过几次?/p>

 

PHOTO

(光刻)

 . 

 

10. Wafer 

下线的第一道步骤是形成

 

start oxide 

?/p>

 zero layer? 

其中

 start 

 

oxide 

 

 

的目的是为何?/p>

 

 

答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触

 

Si  

表面?/p>

 

 

②在

 laser 

刻号过程?/p>

 , 

亦可避免被产生的粉尘污染?/p>

 



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