电子科技大学微电子器件习题

fMS= -0.6eV,

QOX/q= 5× 1011cm-2。若要得到-1.5V的阈电压,应采用沟道区硼离子注入。设注入深度大于沟道下耗尽区最大厚度,则所需的注入浓度为多少?

19、一个以高掺杂P型多晶硅为栅极的P沟道MOSFET,在源与衬底接地时阈电压VT

为-1.5V。当外加5V的衬底偏压后,测得其VT为-2.3V。若栅氧化层厚度为100nm,试求其衬底掺杂浓度。

20、某工作于饱和区的N沟道MOSFET当VGS= 3V时测得IDsat = 1mA ,当VGS = 4V时测得IDsat = 4mA,试求该管的VT与β之值。

21、若N沟道增强型MOSFET的源和衬底接地,栅和漏极相接,试导出描述其电流-电压特性的表达式。

22、P沟Al栅MOSFET具有以下参数:TOX= 100nm,nD= 2× 1015cm-3,QOX/q= 1011cm-2,L =3μm,

Z= 50μm,μp= 230cm2V-1s-1。试计算其阈电压VT;并计算出当VGS= -4V时的饱和漏极电流。

23、某N沟道MOSFET的VT= 1V,β= 4×10-3AV-2,求当VGS= 6V,VDS分别为2V、4V、6V、8V和10V时的漏极电流之值。

24、将Z/L= 5,TOX= 80nm,μn= 600cm2V-1s-1的N沟道MOSFET用作可控电阻器。为了要在VDS较小时获得Ron= 2.5KΩ的电阻,(VGS-VT)应为多少?这时沟道内的电子面密度Qn/Q为多少?

25、试求出习题19中,当外加5V的衬底偏压时,温度升高 10°C所引起的阈电压的变化。

26、铝栅P沟道MOSFET具有以下参数:TOX= 120nm,nD= 1× 1015cm-3,QOX/q= 1011cm-2,L= 10μm,

Z= 50μm,μp= 230cm2V-1s-1。试计算当VGS= -2V,VDS= 5V时的亚阈电流IDsub 。

27、某N沟道MOSFET的VT = 1.5V,β= 6×10-3AV-2,求当VDS= 6V,VGS分别为1.5V、3.5V、5.5V、7.5V和9.5V时的跨导之值。

28、导出N沟道MOSFET饱和区跨导gms和通导电阻Ron的温度系数的表达式

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