第八章 其他半导体效应
1、试证明金属的温差电势率为
?M???2k2TqEF
2、求室温下载流子浓度为1016cm-3的n型锗和p型锗的温差电势率。
解：n型半导体的温差电动势率为
k?NC3? ?n???ln??q?N2?D?? p型半导体的温差电动势率为
k?NV3? ?p??ln???q?NA2??3、下图是用热探针法判断半导体导电类型的实验示意图。试根据图中的提示在电流计上标
电流计 -热 p 冷+
+热 n 电流计 冷-
出电流方向。
4、若两种n型半导体的电导率之比是1:1.6，试计算用这两种半导体组成温差电偶时的温差电动势率。(假设二者的电子迁移率相同) 解：
5、一温差电路中含有一受主浓度为1016cm-3的p型硅。设冷端为0℃，热端为50℃，求塞贝克电压的大小。 解：E?k?EF?EV3????T ?q?kT2?6、空穴密度为1016cm-3的p型锗，室温下与金属连接并通以1A的电流，求接头处吸收或
放出的珀耳帖热量。（设其主要散射机构为长声学波晶格振动) 解：Q????EC?EF3kT???I ?q2q??7、电导率为2000 S/cm的n型PbTe，其电子迁移率为6000cm2／(V·s)，电子有效质量为
0.29m0。设其晶格振动以长声学波为主，求室温下的温差电动势率及珀耳帖系数。 解：
8、若在n型硅样品的[100]方向上施加一压应力，该样品电子总数的10％将由[010]和[001]方向的4个等价导带底转移到[100]方向的两个能谷中。试求样品的电导率变化。设电子的纵有效质量与横有效质量之比为5:11。
9、参照对Si的单轴应力压阻效应的分析过程，分析Ge在[111]方向受到压应力时的电导率变化情况，并仿照式（8-45）和（8-46）导出适合于Ge的??l和??t的表达式。